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單項(xiàng)選擇題

不屬于面缺陷（）。

A.相界面
B.位錯(cuò)
C.堆垛層錯(cuò)
D.亞晶界

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單項(xiàng)選擇題

方法不能獲得過(guò)飽和點(diǎn)缺陷（）。

A.高溫淬火
B.冷變形
C.輻照
D.退火

單項(xiàng)選擇題

實(shí)際晶體強(qiáng)度遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于理論強(qiáng)度的原因，是由于實(shí)際晶體中存在大量的（）

A.晶界
B.亞晶界
C.空位
D.位錯(cuò)

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