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問答題

【簡(jiǎn)答題】增加金硅面壘探測(cè)器的反向電壓，會(huì)有什么好處，又會(huì)有什么壞處？應(yīng)該怎么選擇反向電壓的大?。亢锰幨?/h4>

答案：

增大靈敏體積，減小結(jié)電容（電容噪聲?。?；
壞處是反向電流會(huì)增大；
反向電壓有一個(gè)最優(yōu)值，此時(shí)能量分辨率最好。

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【簡(jiǎn)答題】在影響半導(dǎo)體探測(cè)器分辨率的各項(xiàng)因素中，電荷靈敏前置放大器的噪聲也是重要的一項(xiàng)。什么是零電容噪聲，什么是噪聲斜率？如果零電容噪聲為1keV，噪聲斜率為0.03keV/pf，現(xiàn)知道由前放造成的能量展寬為7keV，哪么探測(cè)器的電容是多大？

答案：

200pf

【簡(jiǎn)答題】綜合考慮各項(xiàng)因素對(duì)能量分辨率的影響之后，我們將得到一個(gè)總的能量展寬ΔE。各分項(xiàng)因素的貢獻(xiàn)ΔE1，ΔE2，ΔEi等與ΔE之間存在什么關(guān)系？

答案：

它們之間是平方和關(guān)系

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