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單項(xiàng)選擇題

對于形成雜質(zhì)缺陷而言，高價正離子占據(jù)低價正離子位置時，該位置帶有正電荷，為了保持電中性，會產(chǎn)生（）。

A.正離子空位
B.間隙負(fù)離子
C.負(fù)離子空位
D.A或B

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單項(xiàng)選擇題

對于形成雜質(zhì)缺陷而言，低價正離子占據(jù)高價正離子位置時，該位置帶有負(fù)電荷，為了保持電中性，會產(chǎn)生（）。

A.負(fù)離子空位
B.間隙正離子
C.間隙負(fù)離子
D.A或B

單項(xiàng)選擇題

位錯的（）是指在熱缺陷的作用下，位錯在垂直滑移方向的運(yùn)動，結(jié)果導(dǎo)致空位或間隙原子的增值或減少。

A.攀移
B.滑移
C.增值
D.減少

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