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單項(xiàng)選擇題

?基于LSS理論，離子注入受到靶原子核與電子的阻止，（）。

A.核阻止和電子阻止是獨(dú)立的
B.核阻止本領(lǐng)>電子阻止本領(lǐng)
C.核阻止本領(lǐng)< 電子阻止本領(lǐng)
D.核阻止和電子阻止與入射離子能量無(wú)關(guān)

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單項(xiàng)選擇題

?CVD可分為低溫工藝、中溫工藝、高溫工藝，不同溫度制備的同種薄膜（如SiO₂）的密度（）

A.溫度升高，略有下降
B.與溫度無(wú)關(guān)
C.溫度升高，略有增加
D.都相同

單項(xiàng)選擇題

看圖判斷下列描述是否正確？（）

A.是有限源擴(kuò)散，雜質(zhì)濃度分布是高斯函數(shù)
B.是有限源擴(kuò)散，雜質(zhì)濃度分布是余誤差函數(shù)
C.是恒定源擴(kuò)散，雜質(zhì)濃度分布是余誤差函數(shù)
D.是恒定源擴(kuò)散，雜質(zhì)濃度分布是高斯函數(shù)

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