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單項(xiàng)選擇題

那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

A、分凝
B、蒸發(fā)
C、坩堝污染
D、損壞

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單項(xiàng)選擇題

正確的框圖簡要說明硅片制備主要工藝流程是（）

A、單晶生長→整形→切片→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測→打包
B、單晶生長→切片→整形→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測→打包
C、單晶生長→整形→切片→晶片研磨及磨邊→拋光→蝕刻→硅片檢測→打包
D、單晶生長→整形→蝕刻→拋光→硅片檢測→切片→晶片研磨及磨邊→打包

單項(xiàng)選擇題

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）

A、3
B、5
C、4
D、2

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