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多項選擇題

蒸鍍工藝要求蒸鍍室為高真空度的原因（）

A.為了避免蒸發(fā)分子（或原子）被氧化
B.為了降低鍍膜中的雜質(zhì)
C.為了減小蒸發(fā)分子（或原子）的平均自由程
D.為了制備的鍍膜表面更平坦

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單項選擇題

PVD與CVD比較，下列哪種說法正確（）

A.CVD普適性更好
B.PVD薄膜的保形性更好
C.CVD工藝溫度更低
D.PVD薄膜與襯底的粘附性較差

單項選擇題

下列晶體缺陷中對其擴散速率影響最大的是（）

A.空位
B.填隙雜質(zhì)
C.自填隙
D.替位雜質(zhì)

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