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單項選擇題

CZ法拉不出高阻單晶硅錠的主要原因是（）

A.氣相雜質(zhì)融入熔體再進入了硅錠
B.坩堝材料分解出的氧會進入硅錠
C.多晶硅原料純度不夠高
D.干鍋清洗不干凈造成

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多項選擇題

IC采用鋁互連系統(tǒng)時，下列哪種方法可以避免Al-Si的尖楔現(xiàn)象（）

A.在淀積的鋁膜中摻入約1%Si
B.在淀積的鋁膜中摻入約1%Cu
C.在鋁膜表面覆蓋Si₃N₄
D.在淀積鋁之前先淀積一薄層TiN薄膜

在SiO₂/Si刻蝕過程中等離子體對硅的刻蝕速率必須控制在非常低的程度，否則SiO₂被清除的同時硅也大量被侵蝕。

答案：正確

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