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單項(xiàng)選擇題

當(dāng)晶體生長(zhǎng)的較快，內(nèi)坩堝中雜質(zhì)量變少，晶體的電阻率（）.

A.上升
B.下降
C.不變
D.不確定

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單項(xiàng)選擇題

制備單晶硅薄膜方面的主要工藝方法是（）.

A.汽-固
B.液-固
C.固-固
D.汽-液

單項(xiàng)選擇題

測(cè)量硅中氧濃度常用的方法是（）.

A.帶電粒子活化法
B.熔化分析法
C.離子質(zhì)譜法
D.紅外光譜分析法

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