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大馬士革工藝來源于一種類似精制的鑲嵌首飾或藝術品的圖案。
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接觸是指硅芯片內(nèi)的器件與第一層金屬層之間在硅表面的連接。
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LPCVD緊隨PECVD的發(fā)展而發(fā)展。由660℃降為450℃,采用增強的等離子體,增加淀積能量,即低壓和低溫。
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