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填空題

在InP中也電子線照射缺陷一致的方向，注入（）以促進(jìn)（）的所謂DLTS的方法得到的結(jié)果。

答案：電流；阿尼爾現(xiàn)象

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由于大多數(shù)化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)都是（），因此不像間接躍遷的Si那樣容易產(chǎn)生太陽(yáng)能電池特性的放射線（）現(xiàn)象。

答案：直接躍遷；衰退

InP電池片的轉(zhuǎn)換效率是（）。

答案： 2.5%

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