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填空題

在CIS中，多數(shù)存在著（）和反向軌道等因有缺陷。

答案：空穴

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Mo和Se的反應(yīng)活性高，Mo/CIS界面狀態(tài)對(duì)膜的（）有很大影響。

答案：致密性

在CIGS光吸收層上，用（）成長(zhǎng)法可以產(chǎn)生CDS厚度為70nm。

答案：溶液

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