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問答題
【簡(jiǎn)答題】VDMOS結(jié)構(gòu)會(huì)發(fā)生二次擊穿嗎？為什么？
答案：
VDMOS結(jié)構(gòu)不會(huì)發(fā)生二次擊穿.因?yàn)樗遣捎么怪睂?dǎo)電的雙擴(kuò)散MOS結(jié)構(gòu)，利用兩次擴(kuò)散形成的P型區(qū)和N+型區(qū)，在硅片表面處...
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問答題
【簡(jiǎn)答題】導(dǎo)致BJT二次擊穿的因素有哪些？可采取何種措施抑制二次擊穿的出現(xiàn)？
答案：
二次擊穿主要是由于器件局部過(guò)熱引起的，而熱點(diǎn)的形成需要能量的積累，即需要一定的電壓、電流和一定的時(shí)間。因此集電極電壓、電...
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【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)單說(shuō)明大功率晶體管BJT與小功率晶體管作用有何不同。
答案：
大功率晶體管耐壓高，電流大，開關(guān)特性好，主要工作在開關(guān)狀態(tài)。小功率晶體管用于信息處理，注重單管電流放大系數(shù)，線性度，頻率...
