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單項(xiàng)選擇題

MOSFET的溫度特性體現(xiàn)為：（）。

A.溫度升高，載流子遷移率升高，跨導(dǎo)升高，閥值電壓升高
B.溫度升高，載流子遷移率升高，跨導(dǎo)下降，閥值電壓下降
C.溫度升高，載流子遷移率下降，跨導(dǎo)下降，閥值電壓升高
D.溫度升高，載流子遷移率下降，跨導(dǎo)下降，閥值電壓下降

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多項(xiàng)選擇題

以下哪幾項(xiàng)是集成電路制作工藝的（）。

A.SOP
B.BCD
C.BMOS
D.CMOS
E.BiMOS
F.BCG

多項(xiàng)選擇題

集成電路進(jìn)入納米尺寸時(shí)代后，將面臨以下主要挑戰(zhàn)：（）。

A.漏電流增大導(dǎo)致總功耗增加
B.柵極氧化膜厚度接近物理極限
C.電路規(guī)模增大導(dǎo)致動(dòng)態(tài)功耗增加
D.配線延遲不能相應(yīng)降低從而影響性能