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多項(xiàng)選擇題

晶片表面上的粒子是通過(guò)（）到達(dá)晶片的表面。

A.粒子擴(kuò)散
B.從氣體源通過(guò)強(qiáng)迫性的對(duì)流傳送
C.化學(xué)反應(yīng)
D.被表面吸附
E.靜電吸引

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單項(xiàng)選擇題

薄膜沉積的機(jī)構(gòu)，依發(fā)生的順序，可以分為這幾個(gè)步驟。其中不包括（）。

A.形成晶核
B.晶粒自旋
C.晶粒凝結(jié)
D.縫道填補(bǔ)

單項(xiàng)選擇題

硅晶片上之所以可以產(chǎn)生薄膜，出始于布滿在晶片表面的許多氣體分子或其它粒子，它們主要是通過(guò)（）到達(dá)晶片表面的。

A.粒子的擴(kuò)散
B.化學(xué)反應(yīng)
C.從氣體源通過(guò)強(qiáng)迫性的對(duì)流傳送
D.被表面吸附

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