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單項選擇題

下面哪一種薄膜工藝中底材會被消耗（）。

A.薄膜沉積
B.薄膜成長
C.蒸發(fā)
D.濺射

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多項選擇題

下列組合中哪一種基本上用于刻蝕前者的干刻蝕法大都可以用來刻蝕后者（）。

A.二氧化硅氮化硅
B.多晶硅硅化金屬
C.單晶硅多晶硅
D.鋁銅
E.鋁硅

多項選擇題

以（）等兩層材料所組合而成的導(dǎo)電層便稱為Polycide。

A.單晶硅
B.多晶硅
C.硅化金屬
D.二氧化硅
E.氮化硅

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