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單項(xiàng)選擇題

離子源腔體中的氣體放電形成（）而引出正離子的。

A.等離子體
B.不等離子體
C.正離子體
D.液電流

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多項(xiàng)選擇題

離子注入的主要?dú)怏w源中，易燃、易爆的有（）。

A.砷化氫
B.二硼化氫
C.三氟化硼
D.硅烷
E.氧氣

多項(xiàng)選擇題

半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)中，離子注入主要是用來（）。

A.氧化
B.改變導(dǎo)電類型
C.涂層
D.改變材料性質(zhì)
E.鍍膜

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