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在集成電路工藝中,光復(fù)制圖形和材料刻蝕相結(jié)合的工藝技術(shù)是()。
A.刻蝕
B.氧化
C.淀積
D.光刻
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單項(xiàng)選擇題
在熱擴(kuò)散工藝中的預(yù)淀積步驟中,硼在950~1100℃的條件下,擴(kuò)散時(shí)間大約()為宜。
A.4~6h
B.50min~2h
C.10~40min
D.5~10min
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在熱擴(kuò)散工藝中的預(yù)淀積步驟中,硼在900~1050℃的條件下,擴(kuò)散時(shí)間大約()為宜。
A.4~6h
B.50min~2h
C.10~40min
D.5~10min
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