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單項(xiàng)選擇題

下列幾種氧化方法相比，哪種方法制得的二氧化硅薄膜的電阻率會(huì)高些（）。

A.干氧氧化
B.濕氧氧化
C.水汽氧化
D.與氧化方法無(wú)關(guān)

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單項(xiàng)選擇題

二氧化硅薄膜的折射率是表征其（）學(xué)性質(zhì)的重要參數(shù)。

A.電
B.磁
C.光
D.熱

單項(xiàng)選擇題

采用熱氧化方法制備的二氧化硅從結(jié)構(gòu)上看是（）的。

A.結(jié)晶形態(tài)
B.非結(jié)晶形態(tài)
C.可能是結(jié)晶形態(tài)的，也可能是非結(jié)晶形態(tài)的
D.以上都不對(duì)

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