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問答題

【簡答題】簡述3.0μm CMOS集成電路工藝技術工藝流程。

答案： ①雙阱工藝：備片→初氧氧化→光刻N阱區(qū)→N阱磷注入→刻蝕初氧層→光刻P...

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【簡答題】簡述CMP技術的優(yōu)點。

答案： ①全局平坦化，臺階高度可控制到50Å左右；
②平坦化不同的材料；
③平坦化多層材料；

化學機械平坦化（CMP）

答案：也稱為化學機械拋光CMP是通過化學反應和機械研磨相結合的方法對表面起伏的硅片進行平坦化的過程。

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