Zn²⁺在ZnS中擴(kuò)散時，563℃時的擴(kuò)散系數(shù)為3×10^-4cm²/s；450℃時的擴(kuò)散系數(shù)為1.0×10^-4cm²/s，求：
（1）擴(kuò)散活化能和D₀；
（2）750℃時的擴(kuò)散系數(shù)；

在制造硅半導(dǎo)體器體中，常使硼擴(kuò)散到硅單晶中，若在1600K溫度下，保持硼在硅單晶表面的濃度恒定（恒定源半無限擴(kuò)散），要求距表面10^-3cm深度處硼的濃度是表面濃度的一半，問需要多長時間（已知D_1600℃＝8×10^-12cm²/s；當(dāng)時，）？