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問答題
【計(jì)算題】室溫下本征鍺的電阻率為47Ω˙cm，求本征載流子濃度。若摻入銻雜質(zhì)，使每106個(gè)鍺原子中有一個(gè)雜質(zhì)原子，計(jì)算室溫下電子濃度和空穴嘗試，設(shè)雜質(zhì)全部電離，鍺原子的濃度為4.4×1022/cm3，求該摻雜鍺材料的電阻率，μn=3600cm2/v˙s，μp=1700cm2/v˙s，ni=2.5×1013/cm3。
答案：
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問答題
【計(jì)算題】
現(xiàn)有三個(gè)半導(dǎo)體硅樣品，已知室溫下（300K）它們的空穴濃度分別為p01=2.25×1015/cm3，p02=1.5×1010/cm3，p03=2.25×104/cm3
（1）分別計(jì)算這三個(gè)樣品的電子濃度
（2）判別這三個(gè)樣品的導(dǎo)電類型
（3）計(jì)算這三個(gè)樣品的費(fèi)米能級(jí)的位置
答案：
對(duì)這三塊材料分別計(jì)算如下：
即P型半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)在禁帶中線下0.37eV處
對(duì)這三塊材料分別計(jì)算如下：
即P型半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)在禁帶中線下0.37eV處
