你可能感興趣的試題

硅導(dǎo)帶結(jié)構(gòu)為（）。

A. 位于第一布里淵區(qū)內(nèi)沿<100>方向的6個(gè)球形等能面
B. 一半位于第一布里淵區(qū)內(nèi)沿<111>方向的6個(gè)球形等能面
C. 一半位于第一布里淵區(qū)內(nèi)沿<111>方向的8個(gè)橢球等能面
D. 位于第一布里淵區(qū)內(nèi)沿<100>方向的6個(gè)橢球等能面

單項(xiàng)選擇題

半導(dǎo)體中由于濃度差引起的載流子的運(yùn)動(dòng)為（）。

A.漂移運(yùn)動(dòng)
B.擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)
C.熱運(yùn)動(dòng)
D.共有化運(yùn)動(dòng)

无码高清视频|成人自拍视频|欧美成人午夜无码A片秀色直播|草美女视频网站|美女被操网站在线观看

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）。

你可能感興趣的試題

硅導(dǎo)帶結(jié)構(gòu)為（）。

半導(dǎo)體中由于濃度差引起的載流子的運(yùn)動(dòng)為（）。

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）。

硅導(dǎo)帶結(jié)構(gòu)為（）。

半導(dǎo)體中由于濃度差引起的載流子的運(yùn)動(dòng)為（）。