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PSG高溫回流需要的溫度要比BPSG高。
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LPCVD多晶硅和氮化硅等薄膜易形成保形覆蓋,在低溫APCVD中,非保形覆蓋一般比較常見。
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相同摻雜濃度下,多晶硅的電阻率比單晶硅的電阻率高得多。
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