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摻雜型探測器是由()之間的電子-空穴對符合產(chǎn)生的,激勵過程是使半導體中的載流子從平衡狀態(tài)激發(fā)到非平衡狀態(tài)的激發(fā)態(tài)。
A.禁帶
B.分子
C.粒子
D.能帶
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B.STN型
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A.載流子
B.電荷
C.電子
D.聲子
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